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IGBT模塊的注意事項(二)

日期:2025-05-04 11:16
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摘要:
 
      此外,在柵極—發射極間開路時,若在集電極與發射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果集電極與發射極間存在高電壓,則有可能使IGBT模塊發熱及至損壞。
      在使用IGBT的場合,當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT模塊就會損壞,為防止此類故障,應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
      在安裝或更換IGBT模塊時,應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,*好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風扇,當散熱風扇損壞中散熱片散熱**時將導致IGBT模塊發熱,而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器,當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。
1. 一般保存IGBT模塊的場所,應保持常溫常濕狀態,不應偏離太大。常溫的規定為5~35℃ ,常濕的規定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區,需用加濕機加濕;
2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;
3. 在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方;
4. 保管時,須注意不要在IGBT模塊上堆放重物;
5. 裝IGBT模塊的容器,應選用不帶靜電的容器。
6. 檢測IGBT模塊的的辦法。



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